“供应SGLUX紫外光电二极管SG01D系列”参数说明
工作波长: | 221-358nm | 针脚数: | 2.0 |
种类: | SG01D-18 | 封装形式: | 其他 |
发光颜色: | 其他 | 型号: | SG01D-18 |
商标: | SGLUX |
“供应SGLUX紫外光电二极管SG01D系列”详细介绍
特性:
1. 采用碳化硅(SiC)材料
2. 宽频段(UVA+UVB+UVC)
3. 有效探测区域0.5mm2(SG01D-51LENS敏感区域为11.0mm2,适合探测火焰)
4. 10uW/cm2峰值辐射照度产生约65nA电流,(10uW/cm2峰值SG01D-51LENS约350nA.
5. 芯片高度稳定性(通过德国PTB认证)
关于碳化硅材料(SiC):
SiC可承受极端辐射硬度,近乎完美的可见盲区,低暗电流,高速响应和低噪音的独特属性;这些功能使SiC成为可见盲区紫外探测器的最佳使用材料。SiC探测器可以永久工作在高达170℃的温度中,信号(响应率)的温度系数也很低,<0.1%/K。由于(fA级别的暗电流)噪音低,很低的紫外线辐射强度也可以可靠地测量,(需要适当的放大器)。
SiC光电二极管可作为未滤波的宽带探测设备或带有光学滤波器,提供对UVA、UVB、UVC波段的响应。
技术参数:
型号 |
SG01D-18 |
SG01D-5LENS |
响应率 |
0.13A/W |
0.13A/W |
波长典型值 |
280nm |
280nm |
波长范围(S=0.1*Smax) |
221-358nm |
221-358nm |
可见盲区(Smax/S>405nm) |
>1010 |
>1010 |
有效探测区域 |
0.5mm2 |
0.5mm2(芯片尺寸)11.0mm2(辐射敏感区域) |
暗电流(1V反向偏压) |
1.7fA |
1.7fA |
电容 |
125pF |
125pF |
短路电流(10uW/cm2峰值辐射照度) |
约65nA |
约350nA |
温度系数 |
<0.1%/K |
<0.1%/K |
操作温度 |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
储存温度 |
-55~+170℃ |
-55~+170℃ |
焊接温度(3S) |
260℃ |
260℃ |
反向电压VRmax |
20V |
20V |
物理特性 |
采用T018金属外壳密封,1针脚绝缘,1针脚接地 |
内置聚光镜,采用T05金属外壳密封,1针脚绝缘,1针脚接地 |